集成電路制造需要某種隔離工藝將單個器件隔離開來。因?yàn)榘雽?dǎo)體集成電路是在同一塊半導(dǎo)體硅片上，通過平面工藝技術(shù)制造許多元件和器件（如電阻、電容、二極管、三極管等），并按需要將它們連接在一起，形成具有一定功能的電路。這些元件和器件所處的電位不同，相互之間必須絕緣隔離，否則半導(dǎo)體本身的電導(dǎo)將這些元件相互連通，就不可能在一個單晶片上制作集成電路。為此，必須設(shè)法使它們在電性能方面隔離開來，這就是隔離工藝所要達(dá)到的目的。衡量隔離工藝模塊的指標(biāo)有：密度、工藝復(fù)雜度、成品率、平坦化程度和寄生效應(yīng)。在這些指標(biāo)間存在著折中。常用的器件隔離方法有PN結(jié)隔離、LOCOS隔離、溝槽隔離 。